Bipolar Transistor 100mA 45V BC557B

Περιγραφή

Transistor

Το transistor έχει 3 περιοχές, τον εκπομπό, την βάση και τον συλλέκτη.

Χωρίζονται σε 2 μεγάλες κατηγορίες, τα PNP και τα NPN, ανάλογα με τον τύπο ημιαγωγού κάθε περιοχής.

Τεχνικά Χαρακτηριστικά

• Τοποθέτηση: THT
• Package: TO-92-2
• Πόλωση: PNP
• Διαμόρφωση: single
• Συλλέκτης- μέγιστη τάση εκπομπού VCEO: 45V
• Συλλέκτης- τάση βάσης VCBO: 50V
• Εκπομπός- τάση βάσης VEBO: 5V
• Συλλέκτης- τάση κορεσμού εκπομπού: 250 mV
• Μέγιστο DC ρεύμα συλλέκτη: 100 mA
• Διαρροή ισχύος: 500 mW
• Gain bandwidth product fT: 150 MHz
• Θερμοκρασία λειτουργίας: -55° C ~ 150° C

Download

Datasheet

Δήλωση Συμμόρφωσης